林逸凡 · Analog Design Engineer

• 参与快充协议芯片中LDO模块电路设计与前仿真，基于Cadence Virtuoso和Spectre优化带隙基准与误差放大器，实现输出电压纹波 ≤10 mVpp（满载200 mA）、压差电压 <200 mV。

• 基于版图寄生提取网表执行后仿真，发现负载瞬态恢复时间不达标；通过调整米勒补偿电容，将100 mA阶跃负载恢复时间从3.2 µs压缩至 1.5 µs，且相位裕度保持 >62°。

• 协助Tape-out签核检查，逐项核验DRC/LVS/ERC报告，协同版图工程师修复4处天线效应违规与3处金属密度缺陷，确保投片数据一次通过。

• 编写LDO模块仿真验证报告，覆盖5个工艺角与-40℃至125℃全温区PSRR、噪声、效率等关键指标，文档被项目组归档作为设计复用参考。

• 针对2.4GHz ISM频段接收链路需求，主导分解LNA指标并选用共源共栅源极退化电感结构，使用Cadence Virtuoso与Spectre RF完成原理图设计与仿真迭代，噪声系数稳定达 1.8 dB、增益 21 dB。

• 设计片内输入匹配网络，基于Smith圆图优化S11，协同版图工程师完成寄生提取与电磁仿真迭代，最终S11< -12 dB 覆盖目标频带，保证与前级滤波器的相容性。

• 建立完整的PVT与工艺角仿真验证流程，在不同工艺角、电压与温度组合下，关键指标仍满足NF< 2.0 dB、增益> 19 dB，形成可交付的仿真报告与设计评审文档。

• 指导组员完成版图布局与关键节点隔离，主导版图后仿真及噪声贡献分析，辨识并切断衬底耦合路径，版图后噪声系数仅恶化 0.15 dB。

• 针对无线充电接收端高效率与高集成度需求，独立分解模拟前端指标，选定有源全波整流器与capless LDO架构，完成关键模块方案设计。

• 基于Cadence Virtuoso平台完成电路设计、前仿真验证与版图布局，通过寄生提取后仿真迭代优化，确保瞬态响应与稳定性。

• 瞄准整流器效率瓶颈，优化比较器失调与功率管开关时序，结合LDO轻载补偿调整，使模拟前端在典型负载条件下整体效率达 87.3%。

• 通过竞赛现场性能测试与专家答辩验收，系统效率与负载调整率等关键参数均优于赛题要求，助力团队获全国大学生电子设计竞赛赛区一等奖。

• 主修课程：半导体物理与器件、模拟集成电路设计、数字集成电路设计、信号与系统、电磁场与电磁波

• 毕业设计：基于 GaN HEMT 的 X 波段功率放大器设计（获校级优秀毕业论文）

• 获奖经历：全国大学生电子设计竞赛省级一等奖、电子科技大学优秀学生奖学金

完成无线充电系统模拟前端电路设计，获省级一等奖。