陈思涵 · Analog Layout Engineer
个人总结
微电子专业背景,专注模拟、射频与混合信号版图物理实现,2 年全定制版图设计与成功流片经验。主导 12 位 200MSPS 流水线 ADC 的全定制版图,130nm CMOS 工艺一次流片成功,后仿 ENOB 达 11.5 位,完整覆盖顶层布局至 GDSII 交付。擅长寄生与匹配优化,将 PLL VCO 相位噪声优化 4 dB,改善至 -112 dBc/Hz@1MHz,满足低抖动要求;通过约束驱动布局与密度控制将 DRC 错误密度大幅削减至 <5 个/cm²,提前完成签核。协同电路团队建立检查清单,首版硅片 IP 即功能正常且工艺厂 DRV 零关键错误,实现可制造性与性能的最佳平衡。
工作经历
独立承担 12 位 200MSPS 流水线 ADC 全定制版图设计,基于 CMOS 130nm 工艺,完成顶层布局、电源网格设计、物理验证到 GDSII 交付的全流程,2024 年成功 Tapeout,版图后仿真有效位数达 11.5 位。
负责 PLL 模块版图,专注匹配与寄生优化,基于 PEX 抽取反复迭代,将 VCO 相位噪声由 -108 优化至 -112 dBc/Hz@1MHz,改善 4 dB,满足低抖动时钟分配需求。
采用 Virtuoso Layout XL 约束驱动布局与布线,配合 Calibre DRC/LVS 闭环验证,将整体 DRC 错误密度从 ~40 个/cm² 降至 <5 个/cm²,提前 3 个工作日签核。
协同电路团队制定版图设计检查清单,覆盖天线效应、阱密度、ESD 与 Latch-up,流片后工艺厂 DRV 零关键错误,IP 模块初版硅片即功能正常。
教育经历
专业技能
荣誉奖项
SAR ADC版图设计因精度与稳定性优异获评优秀毕业设计。
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