陈思远 · 通信电源工程师

• 参与某通信设备商首款3kW基站AC-DC电源模块开发，独立完成PFC与LLC两级变换器电路设计及PCB布局，通过优化布线与热管理将EMI余量提升6dB，模块满载效率达94.5%。

• 主导AC-DC变换器关键元器件选型与磁性元件设计，采用平面变压器方案将磁芯体积缩减30%，配合仿真验证使样机温升降低12°C，顺利通过50台小批量试产验证。

• 搭建自动测试脚本覆盖80+项开关电源特性参数，针对输入电压波动与负载跳变完成2000次循环测试，定位并修复3处环路稳定性缺陷，确保模块在-40℃~85℃环境下稳定运行。

• 制定PCB layout设计规范（含安规爬电距离、热均衡走线等12项细则），指导2名初级工程师完成改版，将单板直通率从78%提升至93%，缩短项目整体开发周期约2周。

• 主导5G基站48V/12V DC-DC模块数字控制架构设计，基于TI C2000 DSP编写C/C++嵌入式固件，实现全数字PID补偿与动态响应优化，最终模块满载效率达96.5%，相比模拟方案提升2个百分点，通过2000小时加速老化测试。

• 搭建I2C/SPI/CAN多协议通信栈，驱动MCU与基站控制器实时交互，支持100+节点组网与参数在线配置，通信误码率低于10⁻⁶，保障量产系统稳定性。

• 主导产线测试与量产导入，开发自动化老炼与ATE测试工站，优化生产节拍至45秒/台，实现单月10k+稳定交付，产品返修率控制在0.3%以内。

• 创新引入数字前馈与自适应死区调节算法，解决宽负载范围下的纹波与震荡问题，输出纹波<50mVpp，模块功率密度达到48W/in³，领先同期同类产品。

• 主导某大型数据中心高压直流（HVDC）电源系统架构设计，采用模块化N+1冗余方案与智能均流算法，实现系统可用性从99.99%提升至99.999%，年非计划停机时间降至5分钟以内。

• 针对240V高压直流配电环网开展可靠性建模与故障树分析，识别并消除3处单点失效风险，通过优化熔断器选型与电池组配置，使系统MTBF提高至200万小时以上。

• 引入可编程数字控制与动态电压调节策略，在40%~80%负载区间内将HVDC整流模块效率从94.5%提升至96.8%，助力整站PUE从1.45降至1.30，年节电约320万kWh。

• 主导HVDC系统与UPS、柴油发电机的联调集成测试，设计黑启动时序与无缝切换逻辑，确保切换时间<5ms，并通过泰尔实验室认证，支撑数据中心获评“国家绿色数据中心”。

• 主导下一代通信电源平台架构设计，采用GaN HEMT与高频LLC拓扑，将开关频率从传统100kHz提升至1MHz，功率密度达120W/in³，效率峰值97.2%。

• 引入全数字控制方案，基于DSP+FPGA实现自适应死区调节与动态响应优化，满载瞬态响应时间<10μs，纹波噪声降低至20mVpp。

• 创新性设计平面变压器与多层PCB绕组结构，解决了1MHz高频下磁芯损耗与趋肤效应问题，变压器体积缩小60%，温升<40°C。

• 针对GaN器件寄生参数影响，优化EMC滤波网络设计，使样机通过EN 55022 Class B传导辐射测试，裕量大于6dB。

• 领导团队完成从概念验证到试产的全流程，累计申请3项发明专利（2项已授权），平台架构被纳入公司下一代产品路线图。

• 在某通信设备商担任硬件负责人，主导48V/12V隔离型DC-DC电源模块开发：独立完成磁性元件设计（平面变压器与耦合电感），通过Maxwell仿真优化磁芯损耗，使漏感控制在额定值的5%以内。

• 针对模块效率与热可靠性目标，搭建Flotherm热仿真模型，精准预测功率管与磁件温升，实测满载温升仅38℃，较竞品降低12℃。

• 带领3人团队完成从原理图到PCB的全流程设计，通过多轮回路补偿与开关频率优化，最终实现96%转换效率（满载48V输入），模块功率密度达120W/in³。

• 主导EMC与可靠性验证，解决传导干扰超标问题，产品一次性通过IEC/EN 60950认证，并作为基站配套电源成功导入批量生产，月均出货量超2千台。

• 作为技术负责人，主导某数据中心240V高压直流电源系统整体集成，设计多级过压/过流保护电路与冗余架构，确保符合IEC 62040及UL 60950-1标准，系统投运后PUE从1.5降至1.2，年节电约120万kWh。

• 针对高压直流系统绝缘监测与接地保护难题，引入主动式绝缘检测方案并优化故障定位算法，实现单点故障下不间断供电，可用性提升至99.999%。

• 主导完成240V与48V混合供电架构的兼容性设计，通过双向DC-DC变换器实现存量设备平滑过渡，改造周期缩短30%，节省投资成本超200万元。

• 组织团队完成240V高压直流系统的全生命周期测试，包括雷击浪涌、短路耐受及热循环验证，一次性通过第三方认证，缩短认证周期40%。

• 针对5G基站高功率密度需求，主导设计基于GaN HEMT的1kW通信电源样机，采用95%占空比高频变压器与数字控制环路（150kHz开关频率），使功率密度从20W/in³提升至28W/in³（提升40%），样机效率达97.2%。

• 攻克GaN器件高频寄生振荡难题，通过优化驱动电路布局与Snubber参数，将开关节点振铃幅度控制在±5V以内，确保数字控制环路稳定运行，并通过IEC 61000-4-4 EMC快速脉冲群测试，辐射发射余量优于Class A标准6dB。

• 统筹高频变压器磁芯选型（EER35+低损耗铁氧体）与绕组结构设计，将漏感控制在0.8μH以下，配合LLC谐振拓扑，使满载温升仅42°C，并通过连续72小时老化验证，MTBF推算值＞100万小时。

• 主导整机EMC预扫描与整改，针对GaN高频谐波引入共模滤波器（插入损耗＞40dB@300kHz），并优化PCB走线回流面积，使电源样机在1kW满载下传导骚扰裕量达12dB，辐射骚扰满足EN 55032 Class B限值要求。

因5G基站电源模块效率突破获此奖项

论文《基于GaN的高频通信电源设计》获行业期刊二等奖

关于电源散热结构及控制方法的专利授权